檢索結果：共25筆資料 檢索策略： "graphene".ekeyword (精準) and year="110"
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近年來，第三代寬能隙半導體材料氮化鎵被廣泛應用於高頻及高功率元件，然而高功率操作下元件廢熱堆積，會使元件特性衰退，傳統金屬電極也有熱退化問題。本研究在氮化鎵高電子遷移率電晶體(GaN HEMT)基板…
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圖案化藍寶石基板(patterned sapphire substrate, PSS)具有降低氮化鎵磊晶薄膜貫穿型差排缺陷密度之效用，然而無圖案區域差排缺陷密度仍高。本研究在圖案化藍寶石基板上嵌入石…
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台灣每年工廠排放大量染料廢水，這些廢水若直接排放將嚴重威脅台灣的生態環境，開發高通量、高選擇性之染料廢液處理薄膜，則可以同時解決工廠排放染料廢水汙染環境及染料回收再利用的問題，本研究將以開發處理染料…
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本研究以種子介導生長法製備出不同尺寸的三角形銀奈米板(Triangular silver nanoplates, TSNPs)，並結合氧化石墨烯(Graphene Oxide, GO)、還原氧化石墨…
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本論文主要關注石墨烯量子點結合垂直生長的SnS2奈米片複合材料作為超級電容器的電極 (第3章)。應用的概述將在介紹(第1章)中顯示。此外，實驗程序 (第2章) 包括化學試劑、材料表結構鑑定和電化學分…
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本研究以化學氣相沉積法，合成高品質石墨烯薄膜，並成功藉由石墨烯轉移支撐層作為鉬前驅物，直接成長二硫化鉬於石墨烯上，形成異質結構，應用於光催化二氧化碳還原。此成長方式和粉末作為前驅物的方法相比…
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過渡金屬三硫屬化物由於其結構的異向性在電性與光電應用中有很好的表現，這些表現使過渡金屬三硫化物 (TMTCs) 在該領域的其他二維材料中脫穎而出。TiS3是過渡金屬三硫屬化物的其中一員，是n型半導體…
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近年來，可穿戴生理傳感器技術的發展引起了學術界和工業界的廣泛關注。紡織材料與電子元器件的結合已成為智能紡織領域的研究熱點。由於機械運動和與活體組織的長時間接觸可能會造成頻繁的損傷，因此在這些裝置中應…
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近年來3D列印技術快速發展，相較於傳統的製造方式，其成本低廉、縮短產品的研發週期、客製化、高精度等優勢引起了學術界和業界的關注，隨著3D列印技術越來越成熟，陸續有相關產業開始投入在3D列印這項技術的…
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氮化鎵具備優異的電性表現已成為第三代寬能隙半導體熱門材料，由AlGaN/GaN異質結構形成之高電子遷移率電晶體已廣泛運用在手機快充與電動車電控系統。本實驗將針對氮化鎵成長在藍寶石基板上，面臨的兩大瓶…